ir2110驅(qū)動(dòng)替代料ID7S625高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片
字號(hào):T|T
IR2110驅(qū)動(dòng)是大功率MOSFET和IGBT專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)集成電路,已在電源變換、馬達(dá)調(diào)速等功率驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域中獲得了廣泛的應(yīng)用,ir2110驅(qū)動(dòng)替代料ID7S625高壓半橋驅(qū)動(dòng)芯片不僅簡(jiǎn)化了系統(tǒng)電路,更提高了電路效率,實(shí)現(xiàn)了電路結(jié)構(gòu)的高頻化、小型化。

ir2110替代芯片ID7S625特性
■ 高側(cè)浮動(dòng)偏移電壓600V
■ 輸入邏輯兼容3.3V/5V/15V
■ 自舉工作的浮地通道
■ 芯片工作電壓范圍10V一20V
■ 所有通道均具有欠壓保護(hù)功能(UVLO)
■ 輸出電流能力2.5A
■ 所有通道均有延時(shí)匹配功能

ir2110驅(qū)動(dòng)替代料ID7S625高壓高低側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)芯片具有體積小(采用WSOP-16封裝)、集成度高(可用于驅(qū)動(dòng)一個(gè)N溝道功率MOSFE或IGBT半橋拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)),響應(yīng)快(dV/dt 75 V/ns),驅(qū)動(dòng)能力強(qiáng)(IO+/IO 2.5/2.5 A)等優(yōu)點(diǎn),內(nèi)置欠壓保護(hù)、延時(shí)匹配功能可以為更好的適配高頻應(yīng)用。
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